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Dispositivos MOS planar e 3D: Luana de Souza Melo at TEDxUnicampLive2014

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Danielle
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Nome: Luana de Souza Melo
Orientador: Prof. Dr. Alexandre Diniz
Centro: CCS

Título da palestra: A simulação e a otimização de parâmetros de dispositivos MOS planar e 3D usando o programa ADS

Resumo: A simulação de circuitos é uma ferramenta fundamental no desenvolvimento de projetos de circuitos integrados. Pela simulação é possível prever o comportamento dos circuitos e aperfeiçoá-los antes da sua fabricação, reduzindo os ciclos de projeto. Este trabalho tem como objetivo obter a extração de parâmetros de dispositivos MOS planar e 3D, com a maior precisão possível, visando o desenvolvimento de projetos de circuitos integrados. O projeto é dividido em três partes: i) conhecimento dos métodos para a extração de parâmetros de dispositivos MOS planar e tridimensional, ii) extração de parâmetros de dispositivos MOS planar e tridimensional, iii) simulação ADS com os parâmetros extraídos dos dispositivos MOS planar e tridimensional medidos.

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